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            新潔能

            — A股代碼:605111 —

            30-100V P-Channel SGT-I MOSFET概覽

            新潔能提供擊穿電壓等級范圍為-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET產品。P溝道增強型功率MOSFET在降低系統設計復雜度上擁有天然的優勢,獨特的柵極負壓開啟機制,使得P溝道功率MOSFET成為高端開關的理想選擇。P溝道功率MOSFET產品的選用可以簡化柵極驅動,往往可以降低系統的總成本,為設計人員提供了一種新的選擇。此外,P溝道功率MOSFET產品利用空穴作為載流子進行導電,其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子,同等情況下,P溝道功率MOSFET產品導電性能弱于N溝道功率MOSFET產品。

            新潔能基于SGT-I技術的-30~-100V P溝道功率產品提供超低的導通電阻(RDS(on)),為設計人員在簡化系統復雜度、降低系統總成本的前提下,進一步提高系統效率與性能。廣泛應用于電池保護、負載開關、電機控制及低壓驅動等應用中。

            P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式,為設計人員優化系統提供最優的解決方案。

            注:"SGT MOSFET"又稱“Super Trench MOSFET”。




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            注:產品規格書中的封裝外形僅供參考,由于每一封裝外形都由幾家封裝廠封裝,具體封裝外形詳情可參考封裝文件。

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